Перевод: со всех языков на все языки

со всех языков на все языки

vapor-transport epitaxy

См. также в других словарях:

  • Chemical beam epitaxy — (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems, especially III V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular… …   Wikipedia

  • Physical vapor deposition — Der Begriff physikalische Gasphasenabscheidung (englisch physical vapour deposition, kurz PVD) bezeichnet eine Gruppe von vakuumbasierten Beschichtungsverfahren bzw. Dünnschichttechnologien, bei denen im Gegensatz zu CVD Verfahren die Schicht… …   Deutsch Wikipedia

  • MOCVD — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… …   Deutsch Wikipedia

  • MOVPE — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… …   Deutsch Wikipedia

  • Metallorganische Gasphasenabscheidung — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… …   Deutsch Wikipedia

  • OMVPE — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… …   Deutsch Wikipedia

  • Omvd — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE) ist eine Epitaxiemethode zum Wachstum von kristallinen Schichten. Weitere Synonyme für diese Beschichtungstechnologie sind organo metallic vapor… …   Deutsch Wikipedia

  • Metallorganische Gasphasenepitaxie — Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten. Es ist in Bezug auf die… …   Deutsch Wikipedia

  • Quantum dot — Part of a series of articles on Nanomaterials Fullerenes …   Wikipedia

  • N-type semiconductor — N type semiconductors are a type of extrinsic semiconductor where the dopant atoms are capable of providing extra conduction electrons to the host material (e.g. phosphorus in silicon). This creates an excess of negative (n type) electron charge… …   Wikipedia

  • Épitaxie — Cet article possède un quasi homophone, voir Épistaxis.  L épitaxie est une technique de croissance orientée, l un par rapport à l autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d éléments de symétrie communs dans leurs réseaux… …   Wikipédia en Français

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»